第一百七十九章 新的模式（第2/3页）

从华国的角度出发，周新已经初步证明了自己的能力和意愿。

他们只等着周新所说的手机出来，如果matrix手机能够把整个产业链捏合在一起，形成雪球效应，那么华国会尽一切可能帮助周新扫清内部的阻力。

从申海的角度出发，现在的进度已经足够让他们满意了。

在上级的督促下，华虹半导体将新芯光刻机的样机测试工作当成这段时间的首要大事。

新芯光刻机的技术来自于尼康，配件几乎全部来自国外，目前只是技术的整合方，缺乏原创的技术。

即便如此，已经是华国在芯片领域的难得突破了。

一个是因为其他华国企业不会把钱投到这个领域，不赚钱还要亏钱，看不到希望。

唯一有可的就是官方组织攻坚，官方攻坚就决定了不会从国外购买技术，纯自研需要花的时间太久，等你把光刻机的样机制造出来后，早就落后国外好几代了。

样机做出来，还需要测试，光刻机进入到芯片制造厂商的生产环节中，对方对良品率有极高的要求。

因为芯片代工是一个对精度控制要求非常高的行业。军用芯片对成本不敏感，自研成本高、良品率低，无所谓。

民用芯片则不然，良品率关乎到芯片代工企业的生命线，良品率低意味着你的成本高，建厂成本已经够高了，在芯片生产环节中如果成本还高的话，靠什么盈利？

全靠自研－技术落后－技术落后厂商不愿意使用－无法进入生产环境－良品率低，可以说是恶性循环。

华国摸索了很长一段时间，才意识到半导体领域得靠市场化的力量，靠学术界研发是不符合客观规律的。

后世如果不是ASML不卖最先进制程的光刻机给华国，华国的光刻机大概率是会一直落后下去。

“我们购买的主要是尼康NSR－S201A这个型号的光刻机技术。

这是世界上第一台超过250纳米的准分子激光步进器型号。193nm制程的ArF系统针对130纳米区域。

我们对它进行了优化，采取基于透镜的扫描步进器来达到满足半导体芯片缩小特征尺寸和扩大曝光面积的双重需求的目的。

在测试过程中，新芯光刻机的制程已经接近该技术的极限值了，只是在芯片良品率上还有很大的提升空间。”林本坚在向申海方面做汇报的时候说。

新芯光刻机购买的尼康技术，是1995年推出市场，然后优化后的二代技术。

同样是光刻机，并不代表把技术卖给你，你就照着造出来，造出来你也很难达到对方的效果。

很简单的例子，同样的教材、同样的辅导资料、同样的老师，有的同学能考100分，有的同学连60分都考不了。

尼康的NSR－S201A推出的第一年就在全球销售超过200台，经过了尼康工程师和芯片制造厂商们的长期生产验证和不断优化。

如果不是硅谷和华尔街共同选择了ASML，尼康光刻机未必会沦落到市占率不足1％的下场。

新芯光刻机能够在半年的时间，复制出一个样品已经远超周新预期了。

周新在得到消息后，心想我没有系统，不会林本坚有系统吧？

申海方面的领导也没有问，为什么不买最先进的技术，这种低级问题。

“我们什么时候能够赶上尼康的良品率？”

“这需要看我们和华虹半导体的配合进度，而且不能只是实验室制造，我们需要真正进入到生产流程。”林本坚说。

在林本坚看来，即便免费把新芯光刻机卖给华虹半导体，都要把良品率提高上去。

HP CD全称是half－pitch CD，是专门用于描绘光刻机领域光刻分辨度的技术指标。

比如说193i光刻机，HP CD极限值等于38 nm.而采取EUV NXE 3400B的光源，可以做到极限13nm。

node CD则完全不同于HP CD。是一个半导体器件的概念，网上媒体所说的技术节点便是node CD。

一般而言node CD约等于1/2 HP CD。

而在实际制造中，不可能用HP CD极限值来制造，会放宽很多。

提到这个的意思是，即便是相同的光刻机，光源也会影响到制程。

“华虹半导体会全力配合新芯光刻机的工作，我们会尽一切可能配合。”

“其实申海方面围绕着高精尖产业如何发展在进行研究，包括我本人围绕这个课题，做过非常多的研究。

不同阶段的思潮是不一样的，我在1980年的时候被组织外派到国外去学习企业管理。

当时的风潮是大企业，一定要有足够的内部规模和范围经济的大公司，这样的框架才能有所创新，在技术上才能有所突破和发展。

这是约瑟夫·熊彼特的观点，包括阿尔弗雷德后来的著作《规模与范围》进一步为这种观念增加了说服力。