第三百一十七章 含金量（第2/3页）
林本坚对接受采访不意外，央妈的团队是和他们搭乘同一个航班来的东京，在来之前央妈那边就已经和新芯沟通好了。
“好的，陈记者，你问吧。”林本坚很淡定，他刚刚做完介绍，还没有从前面介绍中的兴奋状态中脱离出来，对于和陈晓夏的沟通，他属于机械式反应。
“林博士，第一个问题，您觉得新芯的技术突破意味着什么？对于光刻机领域，对于半导体领域来说？”
“意味着困扰业内长达二十年的光源问题得以解决，从90年代开始，光源波长就从365nm降低到了193nm，但是业界一直无法实现突破。
新芯这次实现了光源波长的突破，从40nm到20nm都将是一马平川，再无困难点阻碍。
半导体行业依然会按照摩尔定律继续发展，一直到遇到新的瓶颈。”林本坚说得云淡风轻，心里却很得意。
他在现场看到了之前IBM的老熟人，也是他的对手，IBM光源团队的负责人鲍里斯·利普金。
之前在IBM的时候，他坚持深紫外光或者浸润法来突破193nm波长的限制，而鲍里斯坚持X光，林本坚后来被IBM“内部退休”和鲍里斯不无关系。
看到台下的敌人、朋友、对手、合作伙伴，大家虽然有着不同的立场，但是都在为半导体技术又一次进步而鼓掌而高兴，这技术进步是自己带来的，林本坚感到由衷的开心。
陈晓夏不太能体会林本坚的心情，他知道这很重要，不重要央妈也不会派一整个团队跑过来，他不知道具体有多重要，听完林本坚的回答后，陈晓夏有了更加直观的感受。
20年的难题被解决了，这确实是值得大书特书的事情，还是由我们华国的企业实现了这一突破。
“林博士，这次的技术突破你们是如何做到的？如何超越尼康、佳能以及荷兰的ASML这些公司？
他们在光刻机领域都有着比较悠久的历史，新芯是如何实现的赶超呢？”
林本坚说：“因为我们选择了正确的方向。
我们采取的是和其他公司都截然不同的方向。
在上世纪90年代末的时候，当时业内就提出了各种各样突破193nm波长的方案，其中包括157nm F2激光，电子束投射，离子投射、深紫外光和X光等等。
其中X光、电子束投射、离子投射都太遥远了，属于是有这个想法，理论来说可行，材料学的现状决定了不现实，这些只是前置研究。
最普遍的是157nm的F2激光，尼康、佳能、ASML都走的是这一技术路线。
但是这一技术路线同样有一些难点要克服，比如说157nm波长的光会被193nm波长光源光刻机的镜片吸收，他们要重新研制镜片，光刻胶也要重新研发，他们要克服的困难比我们更多。
我们采用的浸润法从方向上来说，可以是最简单的解决方案。我在和Newman讨论之后，确定了技术方向，然后朝着这一技术方向前进，没多久就实现了突破。”
林本坚很自豪，记者则敏锐捕捉到了新闻热点，和周新相关的都是新闻热点，陈晓夏连忙问：“林博士，您刚刚提到了Newman，是我所理解的周新吗？”
林本坚点头：“没错。”
陈晓夏继续问：“您的意思是周新博士在其中也起到了作用对吗？”
林本坚笑道：“他是老板，我们走的技术路线和其他公司都不一样，他得拍板干不干。
我在和他介绍了我的想法，以及为什么我认为浸润法这一技术路线有戏之后，他当时立刻说好，我同意你的想法，于是我们进一步讨论了浸润法达成了一致，后面新芯开始把所有资源投入到浸润法的研发中。
我们顺利在今年年中的时候完成了验证，现在新芯的浸润式光刻机已经开始进入到我们的生产环节中去了。”
陈晓夏下一个问题有些敏感：“我们都知道因为瓦森纳协定的缘故，华国的半导体企业一直都无法实现最先进的半导体制程。
一般最少比国外的最先进制程落后一代，上世纪九十年代初的时候甚至落后2.5代。
我想问问新芯实现了光刻机技术的突破后，是否意味着我们不会被瓦森纳协定所限制，华国的企业能够借助新芯的光刻机设备实现比国外还要更先进的芯片制程了呢？”
林本坚想了想然后说：“光刻机只是芯片制造环节中比较重要的一部分，但是不是唯一的环节。
芯片制造还涉及到原材料、清洗设备、薄膜沉积设备、热处理设备等等。
光刻机的突破能够提高华国半导体生产企业的上限，但是是否能做到和国外同等的芯片制程我不确定。
这需要看后续实际生产过程中，华国国产设备在其中的表现。”
新芯内部有讨论过，能不能借助光刻机的技术突破，让瓦森纳协定解除对半导体设备的出口管制。